AMTP65H150G4LSGB

Single 650V N-Channel Gallium Nitride FET - DFN8X8 Package

下載規格書 申請樣品

一般規格

一般規格
狀態 量產中
封裝DFN8X8
配置Single
極性N-Channel
電氣特性
VDS 最大值650 V
VGS 最大值±18 V
RDS(on) @ VGS=10V150 mΩ
ID 最大值13 A
總閘極電荷8.8 nC
功率消耗52 W