AMTP65H150G4LSGB

Single 650V N-Channel Gallium Nitride FET - DFN8X8 Package

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一般规格

一般规格
状态 量产中
封装DFN8X8
配置Single
极性N-Channel
电气特性
VDS 最大值650 V
VGS 最大值±18 V
RDS(on) @ VGS=10V150 mΩ
ID 最大值13 A
总栅极电荷8.8 nC
功率耗散52 W