AMSB17N80C3

Single 900V N-Channel Silicon MOSFET - TO-263 Package

下載規格書 申請樣品

一般規格

一般規格
狀態 量產中
封裝TO-263
配置Single
極性N-Channel
電氣特性
VDS 最大值900 V
VGS 最大值±20 V
RDS(on) @ VGS=10V378 mΩ
RDS(on) @ VGS=7V389 mΩ
ID 最大值17 A
總閘極電荷18 nC
功率消耗300 W