AMSB17N80C3

Single 900V N-Channel Silicon MOSFET - TO-263 Package

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一般规格

一般规格
状态 量产中
封装TO-263
配置Single
极性N-Channel
电气特性
VDS 最大值900 V
VGS 最大值±20 V
RDS(on) @ VGS=10V378 mΩ
RDS(on) @ VGS=7V389 mΩ
ID 最大值17 A
总栅极电荷18 nC
功率耗散300 W