AMS930N

Asymmetric 20V N-Channel Silicon MOSFET - DFN3X3-8EP Package

下載規格書 申請樣品

一般規格

一般規格
狀態 量產中
封裝DFN3X3-8EP
配置Asymmetric
極性N-Channel
電氣特性
VDS 最大值20 V
VGS 最大值±8 V
RDS(on) @ VGS=5V28 mΩ
ID 最大值7.7 A
總閘極電荷7 nC
功率消耗2.5 W