AMS930N

Asymmetric 20V N-Channel Silicon MOSFET - DFN3X3-8EP Package

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一般规格

一般规格
状态 量产中
封装DFN3X3-8EP
配置Asymmetric
极性N-Channel
电气特性
VDS 最大值20 V
VGS 最大值±8 V
RDS(on) @ VGS=5V28 mΩ
ID 最大值7.7 A
总栅极电荷7 nC
功率耗散2.5 W