AMR910N

Asymmetric 100V N-Channel Silicon MOSFET - DFN5X6 Package

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一般规格

一般规格
状态 量产中
封装DFN5X6
配置Asymmetric
极性N-Channel
电气特性
VDS 最大值100 V
VGS 最大值±20 V
RDS(on) @ VGS=10V35 mΩ
RDS(on) @ VGS=4.5V46 mΩ
ID 最大值20 A
总栅极电荷6 nC
功率耗散21 W