BSS806N

Single 20V N-Channel Silicon MOSFET - SOT-23 Package

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一般规格

一般规格
状态 量产中
封装SOT-23
配置Single
极性N-Channel
电气特性
VDS 最大值20 V
VGS 最大值±12 V
RDS(on) @ VGS=10V52 mΩ
RDS(on) @ VGS=2.5V57 mΩ
RDS(on) @ VGS=1.8V82 mΩ
ID 最大值4.1 A
总栅极电荷8 nC
功率耗散1.3 W