BSS123

Single 100V N-Channel Silicon MOSFET - SOT-23 Package

下载规格书 申请样品

一般规格

一般规格
状态 量产中
封装SOT-23
配置Single
极性N-Channel
电气特性
VDS 最大值100 V
VGS 最大值±20 V
RDS(on) @ VGS=10V1.65 Ω
RDS(on) @ VGS=4.5V1.8 Ω
ID 最大值0.8 A
总栅极电荷1 nC
功率耗散1.3 W