AMTP65H150G4PS

Single 650V N-Channel Gallium Nitride FET - TO-220 Package

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一般规格

一般规格
状态 量产中
封装TO-220
配置Single
极性N-Channel
电气特性
VDS 最大值650 V
VGS 最大值±20 V
RDS(on) @ VGS=10V150 mΩ
ID 最大值13 A
总栅极电荷8 nC
功率耗散300 W