AMT4200N

Single 200V N-Channel Silicon MOSFET - SOT-223 Package

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一般规格

一般规格
状态 量产中
封装SOT-223
配置Single
极性N-Channel
电气特性
VDS 最大值200 V
VGS 最大值±20 V
RDS(on) @ VGS=10V1.35 Ω
ID 最大值1 A
总栅极电荷37 nC
功率耗散2.1 W