AMPMH600UNE

Single 20V N-Channel Silicon MOSFET - DFN0606-3EP Package

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一般规格

一般规格
状态 量产中
封装DFN0606-3EP
配置Single
极性N-Channel
电气特性
VDS 最大值20 V
VGS 最大值±8 V
RDS(on) @ VGS=4.5V600 mΩ
RDS(on) @ VGS=2.5V800 mΩ
RDS(on) @ VGS=1.8V1.2 Ω
ID 最大值0.578 A
总栅极电荷0.51 nC
功率耗散0.3 W