AMIP030N10N3

Single 100V N-Channel Silicon MOSFET - TO-262 Package

下载规格书 申请样品

一般规格

一般规格
状态 量产中
封装TO-262
配置Single
极性N-Channel
电气特性
VDS 最大值100 V
VGS 最大值±20 V
RDS(on) @ VGS=10V4.4 mΩ
RDS(on) @ VGS=6.5V5.2 mΩ
ID 最大值100 A
总栅极电荷50 nC
功率耗散300 W