AMIB180N10S4

Single 100V N-Channel Silicon MOSFET - TO-263-6L Package

下载规格书 申请样品

一般规格

一般规格
状态 量产中
封装TO-263-6L
配置Single
极性N-Channel
电气特性
VDS 最大值100 V
VGS 最大值±20 V
RDS(on) @ VGS=10V2.4 mΩ
RDS(on) @ VGS=6V3 mΩ
ID 最大值200 A
总栅极电荷56 nC
功率耗散50 W