AMDMG6602SVT

Dual 30V P-Channel Silicon MOSFET - TSOP-6 Package

下载规格书 申请样品

一般规格

一般规格
状态 量产中
封装TSOP-6
配置Dual
极性P-Channel
电气特性
VDS 最大值-30 V
VGS 最大值±20 V
RDS(on) @ VGS=10V65 mΩ
RDS(on) @ VGS=4.5V96 mΩ
RDS(on) @ VGS=2.5V30 mΩ
ID 最大值-3.5 A
总栅极电荷9 nC
功率耗散1.15 W