AMC3M0080120J2

Single 1200V N-Channel Silicon Carbide MOSFET - T2PAK Package

下载规格书 申请样品

一般规格

一般规格
状态 量产中
封装T2PAK
配置Single
极性N-Channel
电气特性
VDS 最大值1200 V
VGS 最大值±25 V
RDS(on) @ VGS=20V80 mΩ
RDS(on) @ VGS=15V85 mΩ
ID 最大值12 A
总栅极电荷13 nC
功率耗散375 W