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AMC3M0040120D
AMC3M0040120D
Single 1200V N-Channel Silicon Carbide MOSFET - TO-247 Package
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申请样品
一般规格
一般规格
状态
量产中
封装
TO-247
配置
Single
极性
N-Channel
电气特性
VDS 最大值
1200 V
VGS 最大值
±25 V
RDS(on) @ VGS=20V
40 mΩ
RDS(on) @ VGS=15V
54 mΩ
ID 最大值
15 A
总栅极电荷
30 nC
功率耗散
500 W