AMC2M0080120D

Single 1200V N-Channel Silicon Carbide MOSFET - TO-247 Package

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一般规格

一般规格
状态 量产中
封装TO-247
配置Single
极性N-Channel
电气特性
VDS 最大值1200 V
VGS 最大值±25 V
RDS(on) @ VGS=20V80 mΩ
RDS(on) @ VGS=18V90 mΩ
ID 最大值8 A
总栅极电荷16 nC
功率耗散500 W