AM4966N

Dual 60V N-Channel Silicon MOSFET - SO-8 Package

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一般规格

一般规格
状态 量产中
封装SO-8
配置Dual
极性N-Channel
电气特性
VDS 最大值60 V
VGS 最大值±20 V
RDS(on) @ VGS=10V28 mΩ
RDS(on) @ VGS=4.5V34 mΩ
ID 最大值7.1 A
总栅极电荷9 nC
功率耗散2.1 W