AM2N60B

Single 600V N-Channel Silicon MOSFET - TO-263 Package

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一般规格

一般规格
状态 量产中
封装TO-263
配置Single
极性N-Channel
电气特性
VDS 最大值600 V
VGS 最大值±20 V
RDS(on) @ VGS=10V4.4 Ω
ID 最大值2.2 A
总栅极电荷7.3 nC
功率耗散150 W