AM190N10-04B

Single 100V N-Channel Silicon MOSFET - TO-263 Package

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一般规格

一般规格
状态 量产中
封装TO-263
配置Single
极性N-Channel
电气特性
VDS 最大值100 V
VGS 最大值±20 V
RDS(on) @ VGS=10V9 mΩ
RDS(on) @ VGS=5.5V10.5 mΩ
ID 最大值190 A
总栅极电荷140 nC
功率耗散300 W