AM10N65-190B

Single 650V N-Channel Silicon MOSFET - TO-263 Package

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一般规格

一般规格
状态 量产中
封装TO-263
配置Single
极性N-Channel
电气特性
VDS 最大值650 V
VGS 最大值±20 V
RDS(on) @ VGS=10V190 mΩ
RDS(on) @ VGS=6V210 mΩ
ID 最大值10 A
总栅极电荷34 nC
功率耗散300 W