AM10N20-220L

Single 200V N-Channel Silicon MOSFET - TO-262 Package

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一般规格

一般规格
状态 量产中
封装TO-262
配置Single
极性N-Channel
电气特性
VDS 最大值200 V
VGS 最大值±20 V
RDS(on) @ VGS=10V220 mΩ
RDS(on) @ VGS=4.5V240 mΩ
ID 最大值10 A
总栅极电荷10 nC
功率耗散300 W