AM10N100-1P

Single 1000V N-Channel Silicon MOSFET - TO-220 Package

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一般规格

一般规格
状态 量产中
封装TO-220
配置Single
极性N-Channel
电气特性
VDS 最大值1000 V
VGS 最大值±20 V
RDS(on) @ VGS=10V1.17 Ω
RDS(on) @ VGS=6.5V1.18 Ω
ID 最大值10 A
总栅极电荷30 nC
功率耗散300 W