AM10N100-10D

Single 1000V N-Channel Silicon MOSFET - TO-252 Package

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一般规格

一般规格
状态 量产中
封装TO-252
配置Single
极性N-Channel
电气特性
VDS 最大值1000 V
VGS 最大值±20 V
RDS(on) @ VGS=10V10 Ω
RDS(on) @ VGS=6V10.5 Ω
ID 最大值1.9 A
总栅极电荷9 nC
功率耗散50 W