ABD5B65M1

Single 650V N-Channel IGBT - TO-252 Package

一般规格

一般规格
状态 量产中
封装TO-252
配置Single
极性N-Channel
电气特性
VDS 最大值650 V
VGS 最大值±30 V
RDS(on) @ VGS=10V165 mΩ
RDS(on) @ VGS=8V178 mΩ
ID 最大值14.3 A
总栅极电荷4 nC
功率耗散50 W